文献
J-GLOBAL ID:200902001973445381
整理番号:88A0152176
Ti/〈111〉Si Schottky障壁接触の電流輸送特性に対する熱けい化の影響
The effects of thermal silicidation on the current transport characteristics of Ti/〈111〉Si Schottky-barrier contacts.
著者 (2件):
TSENG H-H
(National Chiao-Tung Univ., Hsin-Chu, TWN)
,
WU C-Y
(National Chiao-Tung Univ., Hsin-Chu, TWN)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
31
号:
1
ページ:
35-44
発行年:
1988年01月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)