文献
J-GLOBAL ID:200902002006763779
整理番号:92A0126763
多量にSiドープした分子ビームエピタキシャル成長GaAsの単一エネルギー陽電子法による欠陥の評価
The Defect Characterization of Heavily Si-doped Molecular Beam Epitaxy-Grown GaAs by the Monoenergetic Positron Method.
著者 (5件):
WEI L
(Univ. Tsukuba, Ibaraki)
,
CHO Y-K
(Univ. Tsukuba, Ibaraki)
,
DOSHO C
(Univ. Tsukuba, Ibaraki)
,
KURIHARA T
(Univ. Tsukuba, Ibaraki)
,
TANIGAWA S
(Univ. Tsukuba, Ibaraki)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
30
号:
11A
ページ:
2863-2867
発行年:
1991年11月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)