文献
J-GLOBAL ID:200902002040410559
整理番号:91A0846409
III-V半導体(InP)における希土類(Yb)ルミネセンスの励起機構
Excitation mechanisms of rare earth (Yb) luminescence in III-V semiconductors (InP).
著者 (7件):
LHOMER C
(CNET-LAB-OCM, Lannion, FRA)
,
LAMBERT B
(CNET-LAB-OCM, Lannion, FRA)
,
TOUDIC Y
(CNET-LAB-OCM, Lannion, FRA)
,
LE CORRE A
(CNET-LAB-OCM, Lannion, FRA)
,
GAUNEAU M
(CNET-LAB-OCM, Lannion, FRA)
,
CLEROT F
(CNET-LAB-OCM, Lannion, FRA)
,
SERMAGE B
(CNET-PAB-BAG, Bagneux, FRA)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
6
号:
9
ページ:
916-923
発行年:
1991年09月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)