文献
J-GLOBAL ID:200902002040643014
整理番号:82A0075436
イオン注入シリコンのレーザ焼なまし後に観測される欠陥の起源
Origin of the defects observed after laser annealing of implanted silicon.
著者 (4件):
MESLI A
(Centre de Recherches Nucleaires, France)
,
MULLER J C
(Centre de Recherches Nucleaires, France)
,
SALLES D
(Centre de Recherches Nucleaires, France)
,
SIFFERT P
(Centre de Recherches Nucleaires, France)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
39
号:
2
ページ:
159-160
発行年:
1981年07月15日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)