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文献
J-GLOBAL ID：200902002247370778
整理番号：90A0923315
イオンビーム援助堆積で合成した窒化ほう素の特性評価と成長機構
Characterization and growth mechanisms of boron nitride films synthesized by ion-beam-assisted deposition.
BURAT O
(Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA)
,
BOUCHIER D
(Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA)
,
STAMBOULI V
(Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA)
,
GAUTHERIN G
(Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 68 号： 6 ページ： 2780-2790 発行年： 1990年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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