文献
J-GLOBAL ID:200902002527619240
整理番号:86A0437979
パターン形成した注入型埋込み酸化層トランジスタ構造
Patterned implanted buried-oxide transistor structures.
著者 (4件):
KAMINS T I
(Hewlett-Packard, California)
,
MARCOUX P J
(Hewlett-Packard, California)
,
MOLL J L
(Hewlett-Packard, California)
,
ROYLANCE L M
(Hewlett-Packard, California)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
60
号:
1
ページ:
423-426
発行年:
1986年07月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)