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文献
J-GLOBAL ID：200902002773048546
整理番号：84A0014515
半導体デバイス用立方晶SiC大面積単結晶ウエハの作製
Production of large-area single-crystal wafers of cubic SiC for semiconductor devices.
NISHINO S
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
POWELL J A
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
WILL H A
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 42 号： 5 ページ： 460-462 発行年： 1983年03月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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