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文献
J-GLOBAL ID：200902002791868801
整理番号：81A0358629
分子ビームエピタキシャル成長で得た(Al,Ga)Asレーザのしきい値の温度依存性の減少
Reduced temperature dependence of threshold of (Al,Ga) As lasers grown by molecular beam epitaxy.
PAWLIK J R
(Bell Lab., New Jersey)
,
TSANG W T
(Bell Lab., New Jersey)
,
NASH F R
(Bell Lab., New Jersey)
,
HARTMAN R L
(Bell Lab., New Jersey)
,
SWAMINATHAN V
(Bell Lab., New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 38 号： 12 ページ： 974-976 発行年： 1981年06月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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