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文献
J-GLOBAL ID：200902002832261704
整理番号：88A0576968
基板のインピーダンス同調によって作製したa-Si:Hの構造に対する水素希釈効果
Effect of hydrogen dilution on structure of a-Si:H prepared by substrate impedance tuning technique.
MATSUO S
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
UEDA M
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
IMURA T
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
OSAKA Y
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 27 号： 4 ページ： 475-479 発行年： 1988年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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