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文献
J-GLOBAL ID：200902002952229235
整理番号：87A0555007
ゲート長0.1μmの低温動作FETの設計と実験の方法
Design and experimental technology for 0.1-μm gate-length low-temperature operation FET’s.
SAI-HALASZ G A
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
WORDEMAN M R
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
KERN D P
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
GANIN E
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
RISHTON S
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
ZICHERMAN D S
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
SCHMID H
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
POLCARI M R
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
NG H Y
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 8 号： 10 ページ： 463-466 発行年： 1987年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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