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文献
J-GLOBAL ID：200902003228872688
整理番号：86A0280390
分子ビームエピタキシー成長したGaSbの光ルミネセンスとHall効果の研究
A photoluminescence and Hall-effect study of GaSb grown by molecularbeam epitaxy.
LEE M
(Univ. Manchester Inst. Science and Technology, England)
,
NICHOLAS D J
(Univ. Manchester Inst. Science and Technology, England)
,
SINGER K E
(Univ. Manchester Inst. Science and Technology, England)
,
HAMILTON B
(Univ. Manchester Inst. Science and Technology, England)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 59 号： 8 ページ： 2895-2900 発行年： 1986年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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