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文献
J-GLOBAL ID：200902003437084565
整理番号：86A0383977
Si(100)面上へのGaAsエピタキシャル膜における転位密度の低減
Dislocation reduction in epitaxial GaAs on Si (100)
FISCHER R
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
NEUMAN D
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
ZABEL H
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
MORKOC H
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
CHOI C
(Purdue Univ., Indiana)
,
OTSUKA N
(Purdue Univ., Indiana)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 48 号： 18 ページ： 1223-1225 発行年： 1986年05月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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