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文献
J-GLOBAL ID：200902004160497430
整理番号：90A0804174
SiH2Cl2/i-C4H10/HCl/H2ガス系を用いたβ-SiCの低温成長と選択成長
Low temperature and selective growth of β-SiC using the SiH2Cl2/i-C4H10/HCl/H2 gas system.
OHSHITA Y
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 57 号： 6 ページ： 605-607 発行年： 1990年08月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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