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文献
J-GLOBAL ID：200902004163471148
整理番号：92A0738103
高トランスコンダクタンスの面内ゲートトランジスタ
High transconductance in-plane-gated transistors.
WIECK A D
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
,
PLOOG K
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 61 号： 9 ページ： 1048-1050 発行年： 1992年08月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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