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文献
J-GLOBAL ID：200902004900498680
整理番号：91A0685875
間接バンドギャップ半導体のp-n接合ダイオードにおけるスピンに依存した電子と正孔のShockley-Read型再結合
Spin-dependent Shockley-Read recombination of electrons and holes in indirect-band-gap semiconductor p-n junction diodes.
RONG F C
(U.S. Army Laboratory Command, Fort Monmouth, USA)
,
BUCHWALD W R
(U.S. Army Laboratory Command, Fort Monmouth, USA)
,
POINDEXTER E H
(U.S. Army Laboratory Command, Fort Monmouth, USA)
,
WARREN W L
(U.S. Army Laboratory Command, Fort Monmouth, USA)
,
KEEBLE D J
(Michigan Technological Univ., MI, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 34 号： 8 ページ： 835-841 発行年： 1991年08月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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