文献
J-GLOBAL ID:200902005191398975
整理番号:83A0423038
反応性分子ビームエピタキシー法で作製したAlXGa1-XN膜の性質
Properties of AlxGa1-xN films prepared by reactive molecular beam epitaxy.
著者 (3件):
YOSHIDA S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
,
MISAWA S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
,
GONDA S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
53
号:
10
ページ:
6844-6848
発行年:
1982年10月
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)