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文献
J-GLOBAL ID：200902005669061939
整理番号：92A0283771
256M DRAM用(BaxSr1-x)TiO3を用いたスタックド・キャパシタ
A stacked capacitor with (BaxSr1-x)TiO3 for 256M DRAM.
KOYAMA K
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
SAKUMA T
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
YAMAMICHI S
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
WATANABE H
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
AOKI H
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
OHYA S
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
MIYASAKA Y
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
KIKKAWA T
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1991 ページ： 823-826 発行年： 1991年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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