文献
J-GLOBAL ID:200902005706541512
整理番号:88A0282158
化学ビームエピタクシーで成長させた高速InP/InGaAsP/InGaAsアバランシェ・フォトダイオード
High-speed InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes grown by chemical beam epitaxy.
著者 (4件):
CAMPBELL J C
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
TSANG W T
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
QUA G J
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
JOHNSON B C
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名:
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻:
24
号:
3
ページ:
496-500
発行年:
1988年03月
JST資料番号:
H0432A
ISSN:
0018-9197
CODEN:
IEJQA7
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)