文献
J-GLOBAL ID:200902006034947880
整理番号:90A0155299
g-線,i-線露光に対する,水溶性コントラスト増感剤を使用したジアゾナフトキノン-ノボラック樹脂型ポジ型フォトレジストの特性化
Characterization of diazonaphthoquinone-novolac resin-type positive photoresist for g-line and i-line exposure using water-soluble contrast enhancement materials.
著者 (4件):
ENDO M
(Matsushita Electric Ind. Co., Osaka, JPN)
,
SASAGO M
(Matsushita Electric Ind. Co., Osaka, JPN)
,
UENO A
(Matsushita Electric Ind. Co., Osaka, JPN)
,
NOMURA N
(Matsushita Electric Ind. Co., Osaka, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
7
号:
3
ページ:
565-568
発行年:
1989年05月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)