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文献
J-GLOBAL ID：200902006176417323
整理番号：91A0233022
支持膜下方での後方散乱電子によるX線マスクのかぶり
X-ray mask fogging by electrons backscattered beneath the membrane.
CHRISTENSON K K
(FSI International, Minnesota)
,
VISWANATHAN R G
(IBM Research Division, New York)
,
HOHN F J
(IBM Research Division, New York)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 8 号： 6 ページ： 1618-1623 発行年： 1990年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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