文献
J-GLOBAL ID:200902006266017359
整理番号:83A0017476
キャリア偏向でなくエミッタ注入の変調で説明した磁性トランジスタ動作
Magnetic transistor behavior explained by modulation of emitter injection, not carrier deflection.
著者 (2件):
VINAL A W
(IBM Corp.)
,
MASNARI N A
(North Carolina State Univ.)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
3
号:
8
ページ:
203-205
発行年:
1982年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)