文献
J-GLOBAL ID:200902006683161063
整理番号:92A0727883
Ge(111)基板上に成長させたGaAsエピ層におけるGe偏析とその抑制
Ge segregation and its suppression in GaAs epilayers grown on Ge(111) substrate.
著者 (4件):
KAWAI T
(Toyohashi Univ., Toyohashi, JPN)
,
YONEZU H
(Toyohashi Univ., Toyohashi, JPN)
,
YOSHIDA H
(Toyohashi Univ., Toyohashi, JPN)
,
PAK K
(Toyohashi Univ., Toyohashi, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
61
号:
10
ページ:
1216-1218
発行年:
1992年09月07日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)