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文献
J-GLOBAL ID：200902008308933906
整理番号：87A0055675
ガンマ線照射した酸素を含むn-Si結晶とn-Ge結晶での多数キャリアの移動度
Mobility of majority carriers in γ-irradiated oxygen-containing crystals of n-Si and n-Ge.
VIDALKO E N
(Inst. Semiconductors Academy of the Sciences of the Ukrainian SSR, Kiev, SUN)
,
GAIDAR G P
(Inst. Physics Academy of Sciences of the Ukrainian SSR, Kiev, SUN)
,
GIRII V A
(Inst. Physics Academy of Sciences of the Ukrainian SSR, Kiev, SUN)
,
SAVYAK V V
(Inst. Semiconductors Academy of the Sciences of the Ukrainian SSR, Kiev, SUN)
,
SHAKHOVTSOV V I
(Inst. Physics Academy of Sciences of the Ukrainian SSR, Kiev, SUN)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 97 号： 2 ページ： 565-570 発行年： 1986年10月
JST資料番号： D0774A ISSN： 0031-8965 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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