文献
J-GLOBAL ID:200902008710167276
整理番号:86A0521274
非ドープ多結晶シリコン層の低圧化学蒸着とアニール時における形態的効果
Morphological effects during low pressure chemical vapor deposition and annealing of undoped polycrystalline silicon layers.
著者 (3件):
BROKMAN A
(Hebrew Univ., Jerusalem)
,
GAT R
(Hebrew Univ., Jerusalem)
,
ALPERN Y
(Hebrew Univ., Jerusalem)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
49
号:
7
ページ:
382-384
発行年:
1986年08月18日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)