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文献
J-GLOBAL ID：200902010165273670
整理番号：90A0795598
低温で良好な電気的性能を示すGa0.51In0.49P/GaAs HEMT
Ga0.51In0.49P/GaAs HEMT’s exhibiting good electrical performance at cryogenic temperatures.
CHAN Y-J
(Univ. Michigan, MI)
,
PAVLIDIS D
(Univ. Michigan, MI)
,
RAZEGHI M
(Thomson-CSF/LCR, Orsay, FRA)
,
OMNES F
(Thomson-CSF/LCR, Orsay, FRA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 37 号： 10 ページ： 2141-2147 発行年： 1990年10月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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