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文献
J-GLOBAL ID：200902010679246345
整理番号：90A0371441
多結晶シリコン負荷抵抗セルを持つ4MビットSRAMの新プロセス技術
A new process technology for a 4Mbit SRAM with polysilicon load resistor cell.
YUZURIHA K
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
ICHINOSE K
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
MUKAI T
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
KOHNO Y
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
SHIMIZU M
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
MATSUKAWA T
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1989 ページ： 61-62 発行年： 1989年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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