文献
J-GLOBAL ID:200902010801423946
整理番号:92A0523548
低圧有機金属化学蒸着したGaN-AlxGa1-xNヘテロ接合における二次元電子ガスの観測
Observation of a two-dimensional electron gas in low pressure metalorganic chemical vapor deposited GaN-AlxGa1-xN heterojunctions.
著者 (5件):
KHAN M A
(APA Optics Inc., Minnesota)
,
KUZNIA J N
(APA Optics Inc., Minnesota)
,
VAN HOVE J M
(APA Optics Inc., Minnesota)
,
PAN N
(Raytheon Co., Massachusetts)
,
CARTER J
(Raytheon Co., Massachusetts)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
60
号:
24
ページ:
3027-3029
発行年:
1992年06月15日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)