文献
J-GLOBAL ID:200902010863698321
整理番号:91A0329660
トリエチルシラン/水素の繰返し反応と酸化によるSiO2のデジタル化学蒸着
Digital chemical vapor deposition of SiO2 using a repetitive reaction of triethylsilane/hydrogen and oxidation.
著者 (4件):
SAKAUE H
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
,
NAKANO M
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
,
ICHIHARA T
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
,
HORIIKE Y
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
30
号:
1B
ページ:
L124-L127
発行年:
1991年01月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)