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文献
J-GLOBAL ID:200902010863698321   整理番号:91A0329660

トリエチルシラン/水素の繰返し反応と酸化によるSiO2のデジタル化学蒸着

Digital chemical vapor deposition of SiO2 using a repetitive reaction of triethylsilane/hydrogen and oxidation.
著者 (4件):
SAKAUE H
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
NAKANO M
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
ICHIHARA T
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
HORIIKE Y
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 30  号: 1B  ページ: L124-L127  発行年: 1991年01月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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