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文献
J-GLOBAL ID：200902011084582844
整理番号：90A0283363
n型の水素化アモルファスシリコンの状態密度に対する酸素,窒素および炭素の注入効果
Effects of the implantation of oxygen, nitrogen, and carbon on the density of states of n-type hydrogenated amorphous silicon.
MICHELSON C E
(Univ. Oregon, Oregon)
,
COHEN J D
(Univ. Oregon, Oregon)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 41 号： 3 ページ： 1529-1541 発行年： 1990年01月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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