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J-GLOBAL ID：200902012516521562 整理番号：86A0252231

サイズ効果高電子移動度トランジスタの提案

Proposed size-effect high-electron-mobility transistor.

著者 (4件)：

KORNREICH P G

(Syracuse Univ., NY)

WALSH L

(Syracuse Univ., NY)

FLATTERY J

(Syracuse Univ., NY)

ISA S

(Syracuse Univ., NY)

資料名：

Solid-State Electronics (Solid-State Electronics)

巻： 29 号： 4 ページ： 421-428 発行年： 1986年04月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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