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文献
J-GLOBAL ID：200902012692437365
整理番号：92A0272898
ラジオ周波数のグロー放電によって堆積させた多結晶SiC膜中のひずみに及ぼす堆積温度の効果
Effects of Doposition Temperature on Strain in Polycrystalline SiC Films Deposited by Radio-Frequency Glow Discharge.
TAKESHITA T
(Kanazawa Univ., Kanazawa)
,
INOKUMA T
(Kanazawa Univ., Kanazawa)
,
KURATA Y
(Kanazawa Univ., Kanazawa)
,
HASEGAWA S
(Kanazawa Univ., Kanazawa)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 31 号： 3B ページ： L306-L308 発行年： 1992年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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