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文献
J-GLOBAL ID：200902012781295736
整理番号：87A0379502
中性子照射されたSiC中の欠陥
Defects in neutron irradiated SiC.
NAGESH V
(Univ. Missouri, MO, USA)
,
FARMER J W
(Univ. Missouri, MO, USA)
,
DAVIS R F
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
KONG H S
(North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 50 号： 17 ページ： 1138-1140 発行年： 1987年04月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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