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文献
J-GLOBAL ID：200902012816609488
整理番号：90A0044591
高品質Al2O3誘電体の連続的な表面化学反応に支配される成長
Sequential surface chemical reaction limited growth of high quality Al2O3 dielectrics.
HIGASHI G S
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
FLEMING C G
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 55 号： 19 ページ： 1963-1965 発行年： 1989年11月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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