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文献
J-GLOBAL ID：200902013268140006
整理番号：90A0200069
830nm大電力低雑音の自己整合AlGaAs/GaAs二重量子井戸レーザ
830 nm high-power low-noise self-aligned AlGaAs/GaAs double-quantum-well lasers.
ISHIKAWA S
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
NIDO M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
ENDO K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
KOMAZAKI I
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
FUKAGAI K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
YUASA T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 25 号： 20 ページ： 1398-1399 発行年： 1989年09月28日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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