文献
J-GLOBAL ID:200902013440299632
整理番号:92A0720768
GaNバッファ層とともに成長させたSiおよびGeをドープしたGaN膜
Si- and Ge-Doped GaN Films Grown with GaN Buffer Layers.
著者 (3件):
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Industries, Ltd., Tokushima)
,
MUKAI T
(Nichia Chemical Industries, Ltd., Tokushima)
,
SENOH M
(Nichia Chemical Industries, Ltd., Tokushima)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
31
号:
9A
ページ:
2883-2888
発行年:
1992年09月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)