文献
J-GLOBAL ID:200902013500049380
整理番号:87A0074501
CMOS静的RAMに対する改良型単一事象抵抗性硬化技術
An improved single event resistive-hardening technique for CMOS static RAMS.
著者 (2件):
JOHNSON R L JR
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
DIEHL S E
(North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
33
号:
6 Pt.2
ページ:
1730-1733
発行年:
1986年12月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)