文献
J-GLOBAL ID:200902013550591746
整理番号:91A0310914
Si(100)上のH誘起表面再構成 高次水素化物の形成
H-induced surface restructuring on Si(100): Formation of higher hydrides.
著者 (2件):
CHENG C C
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
YATES J T JR
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
43
号:
5
ページ:
4041-4045
発行年:
1991年02月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)