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文献
J-GLOBAL ID：200902014053695046
整理番号：90A0348762
メタン-水素反応性イオンエッチングによるn-GaAsの電気的劣化
Electrical damage in n-GaAs due to methane-hydrogen RIE.
COLLOT P
(Thomson CSF, Orsay, FRA)
,
GAONACH C
(Thomson CSF, Orsay, FRA)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 5 号： 3 ページ： 237-241 発行年： 1990年03月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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