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文献
J-GLOBAL ID：200902014469811088
整理番号：86A0249526
DX中心 SiをドープしたAlxGa1-xAsの深準位と浅準位のクロスオーバ
DX center: Crossover of deep and shallow states in Si-doped AlxGa1-x As.
OSHIYAMA A
(NEC Corp., Kawasaki)
,
OHNISHI S
(NEC Corp., Kawasaki)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 33 号： 6 ページ： 4320-4323 発行年： 1986年03月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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