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文献
J-GLOBAL ID：200902014507013514
整理番号：92A0500827
銅とけい素間の拡散障壁としてのタンタル 故障機構と窒素添加の効果
Tantalum as a diffusion barrier between copper and silicon: Failure mechanism and effect of nitrogen additions.
HOLLOWAY K
(IBM, New York)
,
FRYER P M
(IBM, New York)
,
CABRAL C JR
(IBM, New York)
,
HARPER J M E
(IBM, New York)
,
BAILEY P J
(IBM, New York)
,
KELLEHER K H
(IBM, New York)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 71 号： 11 ページ： 5433-5444 発行年： 1992年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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