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文献
J-GLOBAL ID：200902014532038750
整理番号：92A0573178
GaAs(111)A基板面上にOMVPE法によって成長させたAlGaAs層の形態
Morphology of AlGaAs layer grown on GaAs(111)A substrate plane by organometallic vapor phase epitaxy.
UMEMURA M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
KUWAHARA K
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
FUKE S
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
SATO M
(Sanken Electric Co., Ltd., Saitama)
,
IMAI T
(Meisei Univ., Hino, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 72 号： 1 ページ： 313-315 発行年： 1992年07月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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