文献
J-GLOBAL ID:200902014777094494
整理番号:87A0241299
高ドースのひ素注入後の結晶欠陥生成を抑制する方法
A method to impede the formation of crystal defects after high dose arsenic implants.
著者 (3件):
HAGMANN D
(IBM Research and Development Lab., Boeblingen, DEU)
,
STEINER D
(IBM Research and Development Lab., Boeblingen, DEU)
,
SCHELLINGER T
(IBM Research and Development Lab., Boeblingen, DEU)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
133
号:
12
ページ:
2597-2600
発行年:
1986年12月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)