文献
J-GLOBAL ID:200902015341230526
整理番号:87A0447676
Ni-ZnSe-SiO2-Si構造のZnSe層に,電子と正孔により含まれた捕獲位置の光荷電についてのエネルギー障壁の決定
Determination of energy barriers for the photocharging of trapping sites contained in ZnSe layer of Ni-ZnSe-SiO2-Si structure by electrons and holes.
著者 (3件):
MALINOVSKAYA O K
(P.N. Lebedev Physical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Moscow, SUN)
,
PLOTNIKOV A F
(P.N. Lebedev Physical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Moscow, SUN)
,
TOLOKONNIKOV V A
(P.N. Lebedev Physical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Moscow, SUN)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
98
号:
2
ページ:
K191-K195
発行年:
1986年12月
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)