文献
J-GLOBAL ID:200902015351562438
整理番号:87A0336369
高Tc MoN薄膜の合成
High-Tc MoN thin film synthesis.
著者 (6件):
IHARA H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
SENZAKI K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KIMURA Y
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
HIRABAYASHI M
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
TERADA N
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KEZUKA H
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Advances in Cryogenic Engineering
(Advances in Cryogenic Engineering)
巻:
32
ページ:
603-616
発行年:
1986年
JST資料番号:
E0769A
CODEN:
ACYEA
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
解説
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)