文献
J-GLOBAL ID:200902015548680351
整理番号:87A0314563
Siを注入したGaAsのインコヒーレント光焼なまし
Incoherent light annealing of Si-implanted GaAs.
著者 (3件):
TAMURA A
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
INOUE K
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
ONUMA T
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名:
法政大学イオンビーム工学研究所報告
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University)
号:
5 別冊
ページ:
129-134
発行年:
1986年03月
JST資料番号:
S0830B
ISSN:
0286-0201
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)