文献
J-GLOBAL ID:200902015663524150
整理番号:86A0197853
カスケード型グロー放電反応器で作製した水素化非晶質シリコン薄膜
Hydrogenated amorphous silicon films prepared in cascaded glow discharge reactors.
著者 (4件):
PANWAR O S
(National Physical Lab., New Delhi)
,
DIXIT P N
(National Physical Lab., New Delhi)
,
BHATTACHARYYA R
(National Physical Lab., New Delhi)
,
SHAH V V
(National Physical Lab., New Delhi)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
59
号:
5
ページ:
1578-1586
発行年:
1986年03月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)