文献
J-GLOBAL ID:200902015676894453
整理番号:87A0501071
MOSトランジスタの2次元素子シミュレーションからの端子電荷抽出
The extraction of terminal charges from two-dimensional device simulations of MOS transistors.
著者 (3件):
PRENDERGAST E J
(AT&T Bell Lab., PA, USA)
,
LLOYD P
(AT&T Bell Lab., PA, USA)
,
DIRKS H
(Univ. Aachen, Aachen, DEU)
資料名:
Compel
(Compel)
巻:
6
号:
2
ページ:
107-114
発行年:
1987年06月
JST資料番号:
H0945A
ISSN:
0332-1649
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)