文献
J-GLOBAL ID:200902015733747691
整理番号:92A0419757
ドライエッチングのイオン源:Si技術での反応性イオンビームエッチングの問題
Ion sources for dry etching: Aspects of reactive ion beam etching for Si technology (invited).
著者 (1件):
SCHEER H-C
(Fraunhofer Inst. Mikrostrukturtechnik, Berlin, DEU)
資料名:
Review of Scientific Instruments
(Review of Scientific Instruments)
巻:
63
号:
5
ページ:
3050-3057
発行年:
1992年05月
JST資料番号:
D0517A
ISSN:
0034-6748
CODEN:
RSINAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)