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文献
J-GLOBAL ID：200902015772803450
整理番号：92A0369310
低温エピタキシャル成長中のシリコン酸化の抑制
Inhibition of Silicon Oxidation during Low Temperature Epitaxial Growth.
AGNELLO P D
(IBM T.J. Watson Research Center, New York)
,
SEDGWICK T O
(IBM T.J. Watson Research Center, New York)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 139 号： 4 ページ： 1140-1146 発行年： 1992年04月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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