文献
J-GLOBAL ID:200902015778001674
整理番号:87A0058886
分子ビームエピタクシーで成長させたn-AlxGa1-xAs/p+-GaAsヘテロ接合ダイオードにおけるスペーサ層厚みの最適化
Optimisation of spacer layer thickness in n-AlxGa1-xAs/p+-GaAs heterojunction diodes grown by molecular beam epitaxy.
著者 (4件):
KHAMSEHPOUR B
(Univ. Manchester Inst. Science & Technology, Manchester, GBR)
,
SINGER K E
(Univ. Manchester Inst. Science & Technology, Manchester, GBR)
,
VAN DEN BERG J A
(Univ. Manchester Inst. Science & Technology, Manchester, GBR)
,
VICKERMAN J C
(Univ. Manchester Inst. Science & Technology, Manchester, GBR)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
22
号:
12
ページ:
627-629
発行年:
1986年06月05日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)